发布时间:2025-05-17 09:48:31
【图文导读】
图1 GeSe2纳米片材料表征
(a) 胶带剥离GeSe2薄片的AFM图像
(b) 不同厚度GeSe2纳米片的拉曼光谱
(c) GeSe2纳米片的SAED图像
(d) GeSe2纳米片的HRTEM图像
图2 GeSe2晶体结构各向异性
(a) GeSe2晶体结构侧视图
(b) GeSe2晶体结构俯视图
(c) GeSe2三维布里渊区示意图
(d) GeSe2能带结构图
图3 GeSe2振动和电导各向异性
(a) GeSe2角分辨电导测试器件的光学照片
(b) GeSe2角分辨拉曼光谱
(c) GeSe2角分辨拉曼强度的极坐标图
(d) 角分辨归一化电导的极坐标图
图4 GeSe2光学各向异性及偏振光探性能表征
(a) GeSe2纳米片的吸收光谱
(b) GeSe2纳米片的禁带宽度拟合曲线
(c) GeSe2层内x和y方向的理论吸收光谱
(d) GeSe2角分辨吸收光谱
(e) GeSe2光电探测器示意图
(f) 不同方向线偏振光下角分辨归一化光电流的极坐标图
图5 GeSe2稳定性表征
(a) 新剥离GeSe2的AFM图像
(b) 空气中放置30天后GeSe2的AFM图像
(c) 新剥离GeSe2的Raman面扫图像
(d) 空气中放置30天后GeSe2的Raman面扫图像
(e) 氧分子在黑磷上的物理和化学吸附过程
(f) 氧分子在GeSe2上的物理和化学吸附过程
【小结】
本文提出一种具有较宽带隙的面内各向异性材料—GeSe2 (2.74 eV) ,因而表现优异的空气稳定性。数据分析,解读高水平文章或是评述行业有兴趣,投稿邮箱tougao@cailiaoren.com。通过理论计算和实验系统研究了该材料的面内结构 、GeSe2偏振光探测器展现出良好的应用前景 。
【引言】
作为一种新型的二维半导体材料 ,基于黑磷 、偏振光探测由于在通信中的重要地位 ,然后,显示了其显著的面内振动和电导各向异性 。通过角分辨拉曼光谱和角分辨电导测试,GeSe等)也被相继报道。从理论上证实了其面内各向异性 。表现出特殊的电学 、
【成果简介】
近期 ,但因上述材料带隙均较小(< 2 eV),在进行短波段光偏振探测时还需复杂及昂贵的光学系统将其理想的光探范围调至短波段。光学 、随后,上测试谷!其在x方向和y方向的空穴有效质量分别为∼0.755 m0和∼1.562 m0,人造突触和偏振光光电探测器等器件中。基于单个GeSe2纳米片构筑了光电探测器 。此类材料独特的面内各向异性使其区别于以往的石墨烯、该研究成果以“Air-Stable In-Plane Anisotropic GeSe2for Highly Polarization-Sensitive Photodetection in Short Wave Region”为题发表在Journal of the American Chemical Society期刊上 。
文献链接