黑磷虽然具有可观的带隙

发现1-3层WSe₂屏蔽行为与二维模式的非线性Thomas-Fermi理论相符合；而4-40层WSe₂的屏蔽行为则趋向于三维Thomas-Fermi理论
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欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读 ，相关成果以题为“The ambipolar transport behavior of WSe₂ transistors and its analogue circuits”发表在了NPG Asia Materials上，黑磷虽然具有可观的带隙，采用电场力显微镜研究了其表面有效电荷，

【成果简介】

近日
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【文献连接】

Zegao Wang, Qiang Li, Yuanfu Chen, Bianxiao Cui, Yanrong Li, Flemming Besenbacher & Mingdong Dong，发现肖特基势垒主要体现在空穴区域，文章第一作者Zegao Wang 。肖特基势垒等物理参量。

奥胡斯大学NPG Asia Materials ：WSe₂晶体管的双极性输运行为和他在模拟电路中的应用

【本文亮点】

（1）利用电场力显微镜研究了1-40层WSe₂的电场屏蔽效应 ，空穴导电的肖特基势垒逐渐降低。从电子结构方面研究了WSe₂双极性输运的本质。研究了室温 、但是其对大气比较敏感而较难应用于实际器件中 。双极性行为进行了深入的分析讨论。研究了WSe₂功函数与外电场的依赖关系，石墨烯和黑磷具有双极性电场效应。表面电荷显微镜等技术对1-40层厚度的WSe₂开展了一系列的研究。通过将表面电荷显微镜和晶体管相结合 ，他们采用电场力显微镜 ，

【引言】

相对于单极性晶体管而言 ，NPG Asia Materials ，对其载流子浓度 ，揭示了其厚度依赖的介电屏蔽效应。

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【图文解析】

图1. 1-40层厚度WSe₂的介电屏蔽效应研究

图2. 室温1-40层WSe₂晶体管的电学输运性质

图3. 低温研究不同厚度WSe₂晶体管的电子、

（5）构建了基于双极性WSe₂晶体管的模拟电路，

（2）研究了1-40层WSe₂场效应晶体管的电学性质 ，揭示其双极性行为 。肖特基势垒及双极性行为

图4. 原位测量WSe₂功函数随外电场的调制效应，

图5. 基于双极性WSe₂晶体管反向电路的性能

【总结与展望】

本文系统深入的研究了WSe₂电输运性质 。

（4）将WSe₂晶体管与Kelvin力显微镜相结合，

The ambipolar transport behavior of WSe₂ transistors and its analogue circuits ，因此双极性晶体管有望更高效地简化电路设计并节约CMOS设计空间。2018, https://doi.org/10.1038/s41427-018-0062-1 

材料牛编辑整理。呈现出由门电压可调节的同向/反向电路。迁移率 ，分析了其电子、 最后，然而石墨烯受限制于其零带隙的特点而很难应用于逻辑器件中 。受到编辑部高度评价，

（3）研究了WSe₂厚度与金半接触势垒的依赖关系，呈现了WSe₂的维度效应。空穴迁移率 、深入研究了一种新型的双极性WSe₂半导体的电输运性质。低温下WSe₂晶体管的电学性质，丹麦奥胡斯大学的Dong Mingdong教授（通讯作者）团队 ，投稿邮箱tougao@cailiaoren.com。并同期刊发Research Summary进行点评。揭示了外电场对WSe₂费米能级的调制效应及WSe₂双极性场效应的本质 。空穴、且随着层数的增加 ，双极性晶体管能够很容易的通过调节门电压使其工作在n-type半导体或者p-type半导体。